掺铁铌酸锂晶体相比于纯铌酸锂晶体，通过掺杂铁来调节晶体的电阻率，缓解了晶片的热释电效应并降低光透过率，提高晶体电荷中和能力，减少器件制作过程中的漫反射。
可应用于声学滤波器、谐振器、延迟线、电光调制器、电光调Q开关、相位调制器等电子器件。
化学组成
Fe:LiNbO3
晶胞参数
a=5.148 Ǻ
c=13.863 Ǻ
莫氏硬度
5
居里温度
1142 ± 2 ℃
体电阻率
1010 ~ 1011 Ω*cm
机电耦合系数
k26≥60%，k2≥25%
熔点
1255 ℃
密度
4.64 g/cm3
切割方向
127.86°Y、64°Y、41°Y及其他特殊定制切型
