射频声学滤波器技术的发展趋势（转自上海微系统所异质集成XOI课题组）

近日，上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI课题组在《化合物半导体》杂志2023年10/11月刊上发表了专栏文章《射频声学滤波器技术的发展趋势》。文章从声表面波滤波器技术和体声波滤波器技术两方面详细介绍了声学滤波器技术的发展趋势，并对两种技术的未来发展方向进行了展望。

《化合物半导体》杂志是全球半导体领域最重要和最权威的杂志Compound Semiconductor的中国版，也是国内唯一专注于化合物半导体产业的权威杂志。

图1 移动通信技术的发展历程

射频声学滤波器是目前移动射频前端主流滤波器技术，包括声表面波和体声波滤波器技术。随着移动通信系统的发展演进，两种技术不断得到改进以适应移动射频前端的更新迭代。当5G时代到来时，高频率和大带宽成为滤波器技术的主要发展目标，两种声学滤波器技术在频率和带宽上各有优劣，但还不能完全满足5G频段的需求。一些新的技术有望被用来解决这一问题，但仍遭遇各种挑战。尽管如此，多种方案的同台竞技使得射频声学技术的发展百花齐放。

图2 射频前端模块

图3 声表面波滤波器技术

从1885年瑞利发现声表面波的数学描述，再到1965年怀特等人发明叉指换能器（IDT），声表面波技术如今已经被广泛应用到无线通信系统中，用以实现信号处理功能。在过去数十年中，声表面波技术已经实现了多次迭代和突破，性能和应用频率不断得到提升，其主要分类如图4所示。传统的声表面波器件主要由压电晶体以及位于表面的梳状电极结构组成，其可以在发射声表面波的同时探测声表面波，并将其转换回电能。该技术结构简单、成本极低,因而在较低的频段具有相当大的竞争力。然而随着通信频带的增加，频带之间越来越靠近，这对滤波器的温度稳定性提出了更高的要求，温度补偿型声表面波（TC-SAW）技术应运而生。该技术包括在传统声表面波器件上覆盖具有互补温度系数的材料，以及将较厚的压电薄膜与低热膨胀系数的材料结合以降低热膨胀带来的温度漂移两种。

图4 射频声学滤波器技术分类及应用频段

2016年，基于硅基压电异质衬底的高性能声表面波器件（I.H.P. SAW）问世，其采用了亚微米厚度的压电薄膜，并在压电层和硅支撑衬底之间插入了氧化硅层。氧化硅和支撑衬底组成的高低声速交替结构实现了声波能量的约束，与此同时氧化硅还可以作为温度补偿层。I.H.P. SAW技术实现了SAW器件性能的重要突破，品质因子超过传统SAW器件的四倍以上，对应滤波器矩形度极大改善。类似的采用压电异质衬底的SAW技术还包括Layered SAW、HAL SAW、Ultra SAW等。我们团队也提出了超高性能声表面波滤波器（SUPSAW）的发展思路，在硅基压电异质晶圆的基础上开发出了蓝宝石基、石英基等低损耗衬底。这些技术无一例外都实现了非常高的性能。然而，由于硅等常用支撑衬底本身的声速限制，目标模式仅能采用声速在4000 m/s左右的水平剪切波模式，受限于光刻精度，应用频率难以进一步提高，这也成为了声表面波技术向高频发展的最大挑战。

体声波器件主要由压电薄膜和上下电极组成，工作频率主要由目标声波模式的声速和压电薄膜厚度决定，因此可以在较为宽松的光刻条件下实现更高的频率。体声波滤波器技术的示意图如图5所示。

然而，氮化铝的缺点在于本征机电耦合系数较小，带宽一般小于5%。即便在采用了掺钪技术之后，其带宽可以提高一倍以上，但仍然无法满足5G频段中大带宽频带（N77、N79等）的需求。与集总元件相结合，或者采用新的滤波器拓扑结构，或许能为大带宽频带提供解决方案，但由此带来的额外损耗和器件面积又成了新的挑战。因此，基于单晶铌酸锂薄膜的高阶模式声学器件被提出。包括基于铌酸锂薄膜和叉指顶电极的一阶或更高阶反对称型兰姆波谐振器（XBAR）,以及包含底电极的一阶或更高阶水平剪切模式谐振器（YBAR）。当压电薄膜的厚度与叉指电极周期的比值足够小时，这两种模式都可以近似为体声波模式中的厚度剪切模式。这两种技术可以实现的最大带宽，足以满足任一Sub-6 GHz频段的完全覆盖。尽管相比于氮化铝基体声波滤波器技术来说，这两种新技术并不成熟，还有许多技术问题需要攻克，例如器件散热问题、良率问题等。但这也表示了，对于5G中的Sub-6 GHz频段，体声波滤波器技术的最大挑战不是在于频率，而是在带宽。如何提高带宽成为当下首要需要解决的问题，以及未来的主要发展方向。