化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，）是一种用于制造半导体薄膜常用的手段，CVD可以用于沉积各种类型的材料，包括绝缘体、半导体和导体。那么制造这些不同的材料就需要不同的机台。包括PECVD（等离子增强化学气相沉积）、LPCVD（低压化学气相沉积）、APCVD（大气压化学气相沉积）等等，今天来介绍一下常见的CVD机台。 等离子增强化学气相沉积（Plasma-Enhanced CVD，PECVD）
PECVD的工作原理是使用等离子来增强和促进在基片表面进行的化学反应。产生等离子体通常需要在反应腔内应用射频（RF）电场。这个电场可以使气体中的一些分子或原子电离，形成等离子体。使用等离子增强了化学反应，使得这个过程可以在较低的温度下进行（通常在300-400摄氏度，而标准的CVD则需要几百到一千摄氏度）。这是PECVD的一个重要优点，因为它允许在热敏感的材料上沉积薄膜，。 低压化学气相沉积（Low-Pressure CVD，LPCVD）
LPCVD过程是在相对较低的压力环境中进行的，通常在几百帕到几千帕的范围内。相比于在大气压下进行的CVD（也称为APCVD），低压环境可以减少气体的碰撞和散射，从而提高沉积速率和膜的均匀性。LPCVD通常在高温环境中进行，一般在500至800摄氏度。高温可以提高化学反应的速率，从而增加薄膜的沉积速度。LPCVD通常是一个批处理过程，意味着一次可以处理多片晶圆。批处理的能力取决于反应炉的大小和设计，一次可能可以处理25片，50片，100片或更多的晶圆。 大气压化学气相沉积（Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition）
APCVD过程在大气压下进行。相比于在低压下进行的CVD（也称为LPCVD），APCVD通常更简单，因为它不需要复杂的真空系统。然而，由于在大气压下气体的碰撞和散射会增加，这可能导致膜的均匀性降低。APCVD通常在较高的温度下进行，通常在几百到一千摄氏度之间。虽然APCVD通常无法达到LPCVD或其他CVD技术的精度和均匀性，但在许多应用中，它仍然可以提供足够高质量的膜。例如，APCVD常常被用来沉积硅酸盐玻璃（如PSG，磷硅酸盐玻璃）和多晶硅。 金属有机化学气相沉积（Metal-Organic CVD，MOCVD）
金属有机化学气相沉积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）是一种在半导体制程中广泛使用的沉积技术。MOCVD主要用于制备各种半导体材料，特别是III-V族半导体，如氮化镓（GaN）、磷化铝（AlP）、磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等。MOCVD的特点在于它使用有机金属化合物作为前驱体。这些化合物在反应室中分解，释放出金属原子，这些金属原子在基片表面形成薄膜。 原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）
ALD的工作原理基于自限反应。在自限反应中，前驱体分子与基片表面上的化学基团反应，生成一层均匀的原子层。当所有的化学基团都与前驱体反应过后，反应就停止了，这就是为什么被称为自限反应。这意味着，无论前驱体分子的浓度或反应时间有多长，每一个ALD周期都只会生成一层原子。 ALD可以制造出具有极高均匀性、低缺陷、优良界面质量的薄膜。这使得ALD非常适合用于制造需要高质量薄膜的应用，例如在半导体设备中的栅介质、超薄二氧化硅等。
