SIC晶体生长进入电阻炉时代！
2022年6月恒普科技推出新一代2.0版SIC电阻晶体生长炉，本次量产推出的炉型是基于恒普上一代6、8英寸电阻炉的全新版本，积极对应市场对SIC电阻晶体生长炉的行业需求。
面临的挑战
国内SIC晶体生长炉几乎都是采用感应发热的方式，感应发热晶体生长炉设备投资低，结构简单，维护便利，热效率高等优点，广泛被行业使用。但也有些技术难点制约其性能进一步提高，主要难点：由于趋肤效应，均匀热场建立难度高，热场的温度容易受到外部环境的扰动，难以修正由于晶体生长和原料分解等参数变化带来的内部扰动，并且工艺参数深度耦合，控制难度高。
解决方案
为了解决行业痛点，恒普科技推出了以【轴径分离】为核心技术，石墨发热的SIC晶体生长技术平台，与【新工艺】 组合，突破性的解决晶体 长大、长快、长厚 的行业核心需求。
产品与核心技术
新技术平台部分功能：
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【轴径分离】*
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【新工艺】*
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【温度闭环控制】*
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【高精度压力控制】*
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全尺寸（6英寸和8英寸）
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紧凑热场设计，能耗大幅降低
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生长工具包
*详见下文技术注解
技术注解：
轴径分离
轴向温度梯度与径向温度不存在强耦合，可以对轴向温度梯度和径向温度分别进行高精度控制。是解决晶体长快的核心技术之一。
温度闭环控制
SiC晶体在2000℃以上的高温下生长，对温度的稳定性要求极高，但由于SiC粉料挥发等原因，无法做到对温度的精准测量，导致晶体生长时无法进行温度控制，而是采用功率控制，恒普科技采用创新的温度测量方法，能将温度的测量精度大幅度提高并保持高度稳定，能够在晶体生长的全周期采用温度控制。
新工艺
采用一次传质的新热场，传质效率提高且基本恒定，降低再结晶影响（避免二次传质），有效降低了微管或其它晶体缺陷。生长后期，降低碳包裹物的影响，在满足晶体质量的前提下，将晶体厚度大幅增加。是解决晶体长厚的核心技术之一
压力控制
高精度
SiC晶体生长炉在晶体生长时，通常压力控制的波动在±3Pa,恒普科技的创新技术可以将压力控制在±0.3Pa，提高了一个数量级。
